Tem-камера

Цель научного проекта

Исследования и испытания электронной компонентной базы на помехоэмиссию и  помехоустойчивость к электромагнитному полю.

Научная новизна и актуальность проекта

Миниатюризация и увеличение плотности монтажа электронно-компонентной базы современной радиоэлектронной аппаратуры приводит к увеличению её восприимчивости к внешним электромагнитным воздействиям. С помощью предлагаемого устройства, TEM-камеры, возможно проведение испытаний малогабаритных устройств и печатных плат на помехоэмиссию и помехоустойчивость согласно стандартам в области электромагнитной совместимости в широком диапазоне частот и амплитуд воздействий.

Назначение и область применения

Исследования и испытания электронно-компонентной базы и печатных плат на помехоэмиссию и помехоустойчивость в соответствии со стандартами IEC61967-2, IEC62132-2, SAE J 1752/3, MIL-STD-461F, исследование влияния электромагнитного поля на биологические объекты.

Описание

TEM-камера представляет собой линию передачи, вдоль которой распространяется поперечная T-волна. Формируемое при этом электромагнитное поле между активным и опорным проводниками считается однородным и пригодным для проведения испытаний на электромагнитную совместимость.

Технические характеристики

Частотный диапазон, МГц                                               0–2000

Максимальные габариты испытуемого объекта, мм  20×100×100

Коэффициент стоячей волны по напряжению               <1,22

Максимальные габариты камеры, мм                            350×142×125

Напряженность электрического поля, кВ/м                     <8

Отличительные черты и конкурентные преимущества по сравнению с существующими аналогами

Повышенные характеристики относительно существующих зарубежных аналогов, а именно минимальный КСВН<1,22, в диапазоне частот до 2 ГГц, высота испытуемого объекта 20 мм.

Возможность применения предлагаемой разработки для биомедицинских исследований, нацеленных на изучение механизмов воздействия электромагнитного поля на живые клетки, ткани и организмы.

Исследования по разрушению внутренней структуры электронного компонента при воздействии на него электромагнитного импульса